開關電源TOPSwitch-Ⅱ系列芯片

     TOPSwitch-Ⅱ系列芯片的漏極(D)與內部功率開關器件MOSFET相連，外部通過負載電感與主電源相連，在啟動狀態(tài)下通過內部開關式高壓電源提供內部偏置電流，并設有電流檢測�？刂茦O(C)用于占空比控制的誤差放大器和反饋電流的輸入引腳，與內部并聯(lián)穩(wěn)壓器連接，提供正常工作時的內部偏置電流，同時也是提供旁路、自動重起和補償功能的電容連接點。源極(S)與高壓功率回路的MOSFET的源極相連，兼做初級電路的公共點與參考點。內部輸出極MOSFET的占空比隨控制引腳電流的增加而線性下降，控制電壓的典型值為5.7 V，極限電壓為9 V，控制端最大允許電流為100 mA。
    在設計時還對閾值電壓采取了溫度補償措施，以消除因漏源導通電阻隨溫度變化而引起的漏極電流變化。當芯片結溫大于135℃時，過熱保護電路就輸出高電平，關斷輸出極。此時控制電壓Vc進入滯后調節(jié)模式，Vc端波形也變成幅度為4.7V～5.7V的鋸齒波．若要重新啟動電路，需斷電后再接通電路開關，或者將Vc降至3.3V以下，再利用上電復位電路將內部觸發(fā)器置零，使MOSFET恢復正常工作。
    采用TOPSwitch-Ⅱ系列設計單片開關電源時所需外接元器件少，而且器件對電路板布局以及輸入總線瞬變的敏感性大大減少，故設計十分方便，性能穩(wěn)定，性價比更高。
    對于芯片的選擇主要考慮輸入電壓和功率。由設計要求可知，輸入電壓為寬范圍輸入，輸出功率不大于10W，故選擇TOP222G。

 


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