開關電源之功率半導體器件性能

    早在上世紀末，Infineon公司推出了冷mos管，它采用“超級結”(Super-Junction)結構，又稱超結功率MOSFET。工作電壓在600V～800V，通態(tài)電阻幾乎降低了一個數(shù)量級，仍保持開關速度快的特點，是一種有發(fā)展前途的高頻功率半導體電子器件。
　　就在這種很有前途的高頻功率半導體電子器件IGBT剛出現(xiàn)時，電壓、電流額定值只有600V、25A。很長一段時間內(nèi)，耐壓水平限于1200V～1700V，經(jīng)過長時間的探索研究和改進，現(xiàn)在IGBT的電壓、電流額定值已分別達到3300V/1200A和4500V/1800A，高壓IGBT單片耐壓已達到6500V，一般IGBT的工作頻率上限為20kHz～40kHz，基于穿通(PT)型結構應用新技術制造的IGBT，可工作于150kHz(硬開關)和300kHz(軟開關)，大大提高了應用性能。
　　我們看到的IGBT技術進展實際上是通態(tài)壓降，快速開關和高耐壓能力三者的折中。隨著工藝和結構形式的不同，IGBT在20年歷史發(fā)展進程中，分別是穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、軟穿通(SPT)型、溝漕型和電場截止(FS)型。
　　碳化硅SiC是功率半導體器件晶片的理想材料，其優(yōu)點是：禁帶寬、工作溫度高(可達600℃)、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導熱性能好、漏電流極小、PN結耐壓高等，有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導體電子元器件。由此我們不難看出碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料，它的出現(xiàn)將大大改進我們原有的產(chǎn)品設計性能。 
    保定市四北電子有限公司專業(yè)生產(chǎn)開關電源。

 


【上一個】 分布電源結構 【下一個】 開關電源的功率密度的改進


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