開關(guān)電源技術(shù)的發(fā)展方向
進入21世紀,開關(guān)電源技術(shù)將有更大的發(fā)展,主要表現(xiàn)在以下幾個方面。
1. 高性能碳化硅(SiC)功率半導體器件
可以預見,碳化硅將是21世紀最可能成功應用的新型功率半導體器件材料,其優(yōu)點是:禁帶寬,工作溫度高(可達
2. 高頻磁技術(shù)
高頻開關(guān)變換器中用了多種磁元件,有許多基本問題要研究。
(1)隨著開關(guān)電源的高頻化,在低頻下可以忽略的某些寄生參數(shù),在高頻下將對某些電路性能(如開關(guān)尖峰能量、噪聲水平等)產(chǎn)生重要影響。尤其是磁元件的渦流、漏電感、繞組交流電阻Rac和分布電容等,在低頻和高頻下的表現(xiàn)有很大不同。高頻磁技術(shù)理論作為學科前沿問題,仍受到人們的廣泛重視,如:磁心損耗的數(shù)學建模,磁滯回線的仿真建模,高頻磁元件的計算機仿真建模和CAD、高頻變壓器一維和二維仿真模型等。有待研究的問題還有:高頻磁元件的設計決定了高效率開關(guān)電源的性能、損耗分布和波形等,人們希望給出設計準則、方法、磁參數(shù)和結(jié)構(gòu)參數(shù)與電路性能的依賴關(guān)系,明確設計的自由度與約束條件等。
(2)對高頻磁性材料有如下要求:損耗小,散熱性能好,磁性能優(yōu)越。適用于兆赫級頻率的磁性材料為人們所關(guān)注,如5~6µm超薄鈷基非晶態(tài)磁帶,1MHz(Bm=0.1T)時,損耗僅為0.7~1W/cm3,是MnZn高頻鐵氧體的1/3~1/4。納米結(jié)晶軟磁薄膜也在研究。
(3)研究將鐵氧體或其他薄膜材料高密度集成在硅片上。或硅材料集成在鐵氧體上,是一種磁電混合集成技術(shù)。磁電混合集成還包括利用電感箔式繞組層間分布電容實現(xiàn)磁元件與電容混合集成等。
3. 新型電容器
研究開發(fā)適合于功率電源系統(tǒng)用的新型電容器和超級大電容。要求電容量大、等效電阻(ESR)小、體積小等。據(jù)報道,美國在20世紀90年代末,已開發(fā)出330µF新型固體鉭電容,其ESR有顯著下降。
4. 功率因數(shù)校正AC-DC開關(guān)變換技術(shù)
一般高功率因數(shù)AC-DC電源由兩級組成:在DC-DC變換器前加一級前置功率因數(shù)校正器,至少需要兩個主開關(guān)管和兩套控制驅(qū)動電路。這樣對于小功率開關(guān)電源說,總體效率低、成本高。
對輸入端功率因數(shù)要求不特別高的情況,用PFC和變換器組合電路構(gòu)成小功率AC-DC開關(guān)電源,只用一個主開關(guān)管,可使PF校正到0.8以上,稱為單管單級PF校正AC-DC變換器,簡稱為S4。例如一種隔離式S4PF校正AC/DC變換器,前置功率因數(shù)校正器用DCM運行的Boost變換器,后置電壓調(diào)節(jié)器主電路為反激變換器,按CCM或DCM運行;兩級電路合用一個主開關(guān)管。
5. 高頻開關(guān)電源的電磁兼容研究
高頻開關(guān)電源的電磁兼容問題有特殊性。通常,它涉及到開關(guān)過程產(chǎn)生的di/dt和dv/dt,引起強大的傳導型電磁干擾和諧波干擾。有些情況還會引起強電磁場輻射。不但嚴重污染周圍電磁環(huán)境,對附近的電氣設備造成電磁干擾,還可能危及附近操作人員的安全。同時,開關(guān)電源內(nèi)部的控制電路也必須能承受主電路及工業(yè)應用現(xiàn)場電磁噪聲的干擾。由于上述特殊性和測量上的具體困難,專門針對開關(guān)電源電磁兼容的研究工作,目前還處于起始階段。顯然,在電磁兼容領域,存在著許多交叉科學的前沿課題有待人們研究。如:典型電路與系統(tǒng)的近場、傳導干擾和輻射干擾建模;印制電路板和開關(guān)電源EMC優(yōu)化設計軟件;低中頻、超音頻及高頻強磁場對人體健康的影響;大功率開關(guān)電源EMC測量方法的研究等。
6. 開關(guān)電源的設計、測試技術(shù)
建模、仿真和CAD是一種新的、方便且節(jié)省的設計工具。為仿真開關(guān)電源,首先要進行仿真建模。仿真模型中應包括電力電子器件、變換器電路、數(shù)字和模擬控制電路,以及磁元件和磁場分布模型,電路分布參數(shù)模型等,還要考慮開關(guān)管的熱模型、可靠性模型和EMC建模。各種模型差別很大,因此建模的發(fā)展方向應當是:數(shù)字-模擬混合建模;混合層次建模;以及將各種模型組成一個統(tǒng)一的多層次模型(類似一個電路模型,有方塊圖等);自動生成模型,使仿真軟件具有自動建模功能,以節(jié)約用戶時間。在此基礎上,可建立模型庫。
開關(guān)電源的CAD,包括主電路和控制電路設計、器件選擇、參數(shù)優(yōu)化、磁設計、熱設計、EMI設計和印刷電路板設計、可靠性預估、計算機輔助綜合和優(yōu)化設計等。用基于仿真的專家系統(tǒng)進行開關(guān)電源的CAD,可使所設計的系統(tǒng)性能最優(yōu),減少設計制造費用,并能做可制造性分析,是21世紀仿真和CAD技術(shù)的發(fā)展方向之一,F(xiàn)在國外已開發(fā)出設計DC-DC開關(guān)變換器的專家系統(tǒng)和仿真用MATSPICE軟件。
此外,開關(guān)電源的熱測試、EMI測試、可靠性測試等技術(shù)的開發(fā)、研究與應用也是應大力發(fā)展的。
7. 低電壓、大電流的開關(guān)電源開發(fā)
(1)低電壓、大電流的開關(guān)變換器的要求
數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的速度和效率日益提高,新一代微處理器的邏輯電壓低達1.1~1.8V,而電流達50~
①為降低IC的電場強度和功耗,必須降低微處理器供電電壓,因此VRM的輸出電壓要從傳統(tǒng)的3V左右降低到小于2V,甚至1V。
②運行時,電源輸入電流>
③微處理器起停頻繁,不斷從休眠狀態(tài)啟動,工作,再進入休眠狀態(tài)。因此要求VRM電流從0突變到
④設計時應控制擾動電壓≤10%,允許輸出電壓變化±2%。
(2)采用波形交錯技術(shù)
線路的寄生阻抗、電容的ESR和ESL對VRM在負載變化過程中的電壓調(diào)整影響很大。必須研制高頻、高功率密度和快速的新型VRM,F(xiàn)在已有多種拓撲問世,如:同步整流Buck變換器(用功率MOS管替代開關(guān)二極管);為防止電流大幅度變化時由于高頻寄生參數(shù)引起輸出電壓擾動,有文獻介紹采用多輸入通道或稱多相DC-DC變換器,如圖1所示,應用波形交錯(Interleaving)技術(shù),保證VRM輸出紋波小,改善輸出瞬態(tài)響應,并可減小輸出濾波電感和電容。
圖1 多輸入通道波形交錯同步整流Buck變換器
(3)電壓紋波與沖擊電壓問題
①電壓紋波與ESR。對于電壓在1V以下、電流在
為探討紋波電壓動作模式,首先給出等效電路進行仿真。仿真中根據(jù)Crc的值,有四種動作模式的紋波電壓。電壓紋波值與rc/R的變化關(guān)系曲線,也有四種動作模式,C越大,紋波率就越小。為進一步降低低壓大電流輸出電壓紋波,即減小濾波電容ESR值,必須采取一定的方法和策略。
②負載突變引起的沖擊電壓。對于數(shù)字電路的負載,為快速響應各種模式的轉(zhuǎn)換,輸出電壓相應于負載變化的瞬態(tài)響應特性就顯得非常重要。此時,如果電流的變化率大,沖擊產(chǎn)生時間比開關(guān)周期Ts短,則很難期待由反饋而帶來的輸出電壓穩(wěn)定效果。目前技術(shù)還沒有辦法,正處于仿真研究階段。
(4)探尋省略濾波電容的可能性
如果因負載急變引起輸出電壓波動,波動持續(xù)時間超過開關(guān)周期的話,通過反饋可在一定程度上進行調(diào)整,LC濾波電路對此電壓調(diào)整效果起決定作用。為達到電壓調(diào)整目的,必須提高開關(guān)頻率,減小L和C值,讓截止頻率盡量向高域端延伸。有人考慮用兩個非對稱逆變器(帶變壓器)輸出雙相方波,每個逆變器的輸出電壓通過半波整流接向共同的負載,將截止頻率延伸至高域端。
開關(guān)頻率由MOSFET的開關(guān)時間所決定,為了提高開關(guān)效率,使超過其極限值,在實用中可采用多相開關(guān)方式等效提高開關(guān)頻率的方法。但是,相數(shù)也有限制。另外,變化的原因僅在于負載一側(cè),讓截止頻率盡量低也非常有效。為達到此目的,使用電氣雙層電容濾波器可能是今后的發(fā)展方向。當然,為此必須考慮怎樣同時降低雙層電容器的等效串聯(lián)電阻和等效串聯(lián)電感。
(5)便攜式設備與燃料電池
對于手提電腦、手機、數(shù)碼相機等便攜式電器,電源是出問題最多的部分。便攜式設備的電源一直以來是傳統(tǒng)電池的天下,傳統(tǒng)電池在輕便與長時使用性方面,還不能充分滿足用戶的要求。為此,由固體高分子材料構(gòu)成的燃料電池最近引起了大家的關(guān)注。燃料電池是以甲醇為燃料,鉑為催化劑,其構(gòu)造為電極間夾電解質(zhì)膜,能量密度可做到鋰電池的10倍。
燃料電池的優(yōu)點是維護方便,可長時間使用。電能不足時,僅補充燃料即可,不需要長時間充電。
以上就低壓、大電流開關(guān)電源為中心,對開關(guān)電源的未來技術(shù)發(fā)展方向進行了論述。按照摩爾定律,每18個月IC的集成度會增加2倍,因此很難斷定電壓會降低到何種程度為止。如果這種趨勢無限制的持續(xù)下去,可以預想對電源的要求會越來越高。要滿足這些要求,首先以開發(fā)新的半導體和電容為前提,另外從電路角度來建立元器件微細結(jié)構(gòu)模型也可能成為解決問題的關(guān)鍵點。因此,今后在各種層面上打破學科界線進行協(xié)同研究的必要性會越來越高。
8. 低電壓、大電流DC-DC變換器模塊
IEEE Spectrum報道,2005年數(shù)據(jù)處理器所用的大規(guī)模集成電路的晶體管密度將達到1億/cm²,時鐘頻率為1GHz,特征尺寸≤100nm,參見表1。
表1 超大規(guī)模集成電路十年發(fā)展前景預測
|
1997~2001年 |
2003~2006年 |
2009~2012年 |
晶體管密度/(106/cm2) |
4~10 |
18~39 |
84~180 |
特征尺寸/nm |
250~150 |
130~100 |
70~50 |
頻率/MHz |
200~230 |
530~1100 |
840~1830 |
功率/W |
1.2~61 |
2~96 |
2.8~109 |
電壓/V |
1.2~2.5 |
0.9~1.2 |
0.5~0.9 |
為適應下一代快速微處理器、可攜式通信設備、服務器等供電的需求,要開發(fā)大電流(50~
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