通信開(kāi)關(guān)電源技術(shù)屬于電力電子技術(shù)，它運(yùn)用功率變換器進(jìn)行電能變換，因而從功率器件的類型上很容易推斷出產(chǎn)品大致的研發(fā)年代。我們知道，大功率硅整流管和晶閘管出現(xiàn)于２０世紀(jì)６０年代；大功率逆變用的晶閘管、巨型功率晶體管（ＧＴＲ）和門極可關(guān)斷晶閘管（ＧＴＯ）的生產(chǎn)年代在２０世紀(jì)７０年代；功率場(chǎng)效應(yīng)管（ＭＯＳＦＥＴ）出現(xiàn)于２０世紀(jì)８０年代；絕緣柵雙極晶體管 （ＩＧＢＴ）則是出現(xiàn)于２０世紀(jì)９０年代的器件。這里需要說(shuō)明的是，功率場(chǎng)效應(yīng)管由于單極性多子導(dǎo)電，顯著地減小了開(kāi)關(guān)時(shí)間，所以很容易地達(dá)到１ＭＨｚ的開(kāi)關(guān)工作頻率。但是功率場(chǎng)效應(yīng)管要提高器件阻斷電壓必須加寬器件的漂移區(qū)，結(jié)果使器件內(nèi)阻迅速增大，器件的通態(tài)壓降增高，通態(tài)損耗增大。絕緣柵極雙極晶體管在結(jié)構(gòu)上類似于功率場(chǎng)效應(yīng)管，其不同點(diǎn)在于絕緣柵極雙極晶體管是在Ｎ溝道功率場(chǎng)效應(yīng)管的Ｎ＋基板（漏極）上增加了一個(gè)Ｐ＋基板（絕緣柵極雙極晶體管的集電極），這一點(diǎn)改進(jìn)就使得絕緣柵極雙極晶體管具有一系列的突出優(yōu)點(diǎn)：正向偏置，輸入阻抗高，導(dǎo)通電阻低，耐壓高，安全工作區(qū)大以及開(kāi)關(guān)速度高等。 　　看功率器件的封裝也能簡(jiǎn)單判別通信電源的優(yōu)劣。管芯直接焊接在基板上，可以提高散熱效率，降低寄生電感、電容和熱阻。不是直接焊接在基板上的產(chǎn)品，就比較差了。
　　二、電路原理
　�。保� 要看它采用硬開(kāi)關(guān)技術(shù)還是軟開(kāi)關(guān)技術(shù)。由ＬＣ無(wú)源元件和快恢復(fù)二極管組成的各種無(wú)耗緩沖電路，改變了開(kāi)關(guān)管的開(kāi)關(guān)過(guò)渡過(guò)程，使開(kāi)關(guān)電壓、電流的改變不是突變的（即硬開(kāi)關(guān)）而是緩變的（即軟開(kāi)關(guān)），從而顯著地減小了功率器件的開(kāi)關(guān)損耗，提高系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)頻率，降低變換器的體積和重量，減少系統(tǒng)的輸出紋波，并且可以克服變換電路對(duì)寄生分布參數(shù)的敏感性，降低系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)噪音，展寬系統(tǒng)的頻帶，改善系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能。

　　２．要看它采用變頻控制（ＰＦＭ）還是恒頻控制（ＰＷＭ）。恒頻控制（又稱相移控制）方式要優(yōu)于變頻控制方式。相移控制的全橋變換電路，綜合恒頻控制技術(shù)和軟開(kāi)關(guān)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，在大范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)恒頻控制，實(shí)現(xiàn)輸出電壓或電流的大范圍無(wú)級(jí)調(diào)節(jié)，在功率器件換流瞬間，實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)換流。

　　３．功率因數(shù)校正技術(shù)可以抑制電網(wǎng)側(cè)諧波電流，減少無(wú)功功率，從而改善功率因數(shù)，同時(shí)降低電源高次諧波產(chǎn)生的噪音和污染，達(dá)到節(jié)能目的。