開關(guān)電源的效率與功耗已成為設(shè)計(jì)師關(guān)注的焦點(diǎn)，而多模式控制已經(jīng)成為電源控制芯片中高效率低功耗設(shè)計(jì)的主流趨勢(shì)。
　　所謂多模式控制就是在開關(guān)電源的工作中根據(jù)負(fù)載情況的不同采用不同的控制策略，以降低其功耗，提高效率。它是針對(duì)常用開關(guān)電源在輕載和待機(jī)條件下效率低的特點(diǎn)提出的，其設(shè)計(jì)思想可描述為：在重載下采用PWM 模式，以發(fā)揮其重載下效率高的優(yōu)點(diǎn)；在輕載下采取PFM 模式，通過(guò)降低開關(guān)頻率來(lái)降低功耗；而在極輕載條件下（待機(jī)模式下）則采取BURST模式來(lái)降低功耗。
　　目前，由于能源緊缺，國(guó)際國(guó)內(nèi)均對(duì)降低用電設(shè)備的輕載和待機(jī)功耗給予了極大注意。應(yīng)指出的是，傳統(tǒng)的多模式控制策略雖然改善了開關(guān)電源的輕載與待機(jī)效率，但未對(duì)控制芯片本身的靜態(tài)功耗予以足夠的重視，考慮到家電、辦公設(shè)備等設(shè)備數(shù)量巨大，倘能將控制芯片的靜態(tài)電流由毫安級(jí)降低一至兩個(gè)數(shù)量級(jí)，其節(jié)電效能就十分可觀。
　　文中給出一種低功耗開關(guān)電源控制芯片供電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)并予以實(shí)現(xiàn)，其特點(diǎn)是可以降低控制芯片在輕載與待機(jī)模式下的功耗。
　　針對(duì)當(dāng)前應(yīng)用廣泛的系統(tǒng)芯片的需要，分別設(shè)置了一個(gè)數(shù)字模塊供電單元和兩個(gè)模擬模塊供電單元，其中一個(gè)模擬模塊供電單元專門用于在重載條件下為控制模塊供電，而在輕載和待機(jī)模式下則被關(guān)斷，以降低芯片的靜態(tài)功耗。
　　1 系統(tǒng)與電路設(shè)計(jì)
　　1.1 系統(tǒng)構(gòu)成
　　整個(gè)系統(tǒng)的構(gòu)成如圖1所示。系統(tǒng)中包括一個(gè)欠壓鎖定電路（UVLO，Under voltage lockout），用于保證電路在合適的電壓范圍內(nèi)正常工作；一個(gè)帶隙基準(zhǔn)電壓源和一個(gè)專為數(shù)字模塊供電的電壓源（記為VDD_D），分別為芯片提供基準(zhǔn)偏置和數(shù)字部分的電源。具體構(gòu)成時(shí)此兩模塊包含在UVLO模塊內(nèi)。兩個(gè)電壓調(diào)整器（REGULATOR）分別產(chǎn)生一個(gè)5 V和一個(gè)4.3 V 的穩(wěn)定電壓，其中5 V穩(wěn)定電壓源輸出記為REG，用于在重載時(shí)為控制器供電（輕載時(shí)關(guān)斷）；4.3 V 穩(wěn)定電壓源輸出記為VDD_AD，用于輕載時(shí)的供電。當(dāng)然，必要時(shí)還可以利用帶隙基準(zhǔn)產(chǎn)生更多不同的電壓以滿足復(fù)雜控制模式的需要。
　　
　　圖1電源系統(tǒng)框圖
　　此外，本設(shè)計(jì)中還設(shè)置了一個(gè)REF-OK模塊來(lái)判斷上電后電源系統(tǒng)是否已進(jìn)入正常工作狀態(tài)。
　　1.2 欠壓鎖定電路的設(shè)計(jì)
　　欠壓鎖定電路又稱UVLO，見(jiàn)圖2.圖中 VDD為芯片外部供電電源，設(shè)計(jì)值為12 V.欠壓鎖定電路的窗口設(shè)置為7~9.5 V，即上電后電壓上升到大于9.5V 時(shí)芯片開始正常工作，而當(dāng)供電電壓小于7 V時(shí)芯片停止工作�？紤]到欠壓鎖定電路在電源控制芯片中的重要性，設(shè)計(jì)給出了兩種實(shí)現(xiàn)方案，并對(duì)兩種控制策略的性能進(jìn)行了分析與比較。
　　
　　圖2 兩個(gè)比較器實(shí)現(xiàn)的欠壓鎖定電路
　　圖2給出第一種欠壓鎖定電路的原理圖，稱為U-VLO1，這是用兩個(gè)比較器實(shí)現(xiàn)的欠壓鎖定電路。VDD是外部供電電壓源，K1、K2 是小于1的常數(shù)，且K1》K2，VREF為1.25 V帶隙基準(zhǔn)電壓，LATCH是由兩個(gè)反相器組成的鎖存器。圖中標(biāo)的UVLO_out代表欠壓鎖定信號(hào)，狀態(tài)設(shè)置是UVLO_out=0時(shí)有效。
　　電路的工作原理可簡(jiǎn)述如下：12 V供電電壓可在VDD比較低時(shí)建立一個(gè)PTAT （ProportiONal toabsolute temperature）電流源，然后利用其建立起帶隙基準(zhǔn)電壓源；當(dāng)VDD由0上升時(shí)，帶隙基準(zhǔn)電壓r首先建立，此時(shí)兩個(gè)比較器的輸出為低電位，P1導(dǎo)通，輸出為高電位；當(dāng)K1VDD大于 r時(shí)，COMP1輸出跳變，N1管導(dǎo)通，鎖存器鎖存上一個(gè)信號(hào)，UVLO為高電位（注意其為低電位有效）；當(dāng)K2VDD大于VREF 時(shí)，N2導(dǎo)通，則UVLO-out為低電位，使能其他模塊；隨著VDD減小，K2VDD首先小于VREF，N2關(guān)斷，則鎖存器鎖存信號(hào)，UVLO-out保持；當(dāng) VDD減小到K1 VDD小于VREF時(shí)COMP1跳變，P1導(dǎo)通，N1關(guān)斷，則輸出UVLO-out為高電位，關(guān)斷整個(gè)控制芯片。